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Transistors

2377 articles disponibles
2377 articles disponibles

Affichage 21 articles: SKM400BG126D à SPD09N05 (Page 104 sur 114)

Transistor SKM400BG126D

SKM400BG126D
437.35€ TTC
9 En stock
9 En stock

2 x N-IGBT1200V 470A/600Ap. Vce(on)1.7V. Constructeur: Semikron. Code constructeur: SKM400BG126D. Implantation: perçage szerelt. Boîtier: 106.4x61.4x30.5mm. Láb szám: 7 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 1200 V. Consommation 470 A. Ic(T-100°C): 330 A. Ic(puls): 600 A. VGE: 20 V. VGE(th) min.: 5 V. VGE(th)max.: 6,5 V. VCE(sat): 1,7 V. VCE(sat)ma

 
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Transistor SKW20N60

SKW20N60
17.58€ TTC
93 En stock
93 En stock

Transistor IGBT N (+diode) 600V. Courant de collecteur maxi: 40A. Puissance: 179W. Vce(sat): 2.4V. Boîtier: TO-247(AC).

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor SKW25N120

SKW25N120
30.74€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Transistor IGBT N (+diode) 1200V. Courant de collecteur maxi: 46A. Puissance: 313W. Vce(sat): 3.1V. Boîtier: TO-247(AC). Td(on): 50ns / Td(off): 820ns

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor SKW30N60HS

SKW30N60HS
20.78€ TTC
44 En stock
44 En stock

Transistor IGBT N (+diode) 600V. Courant de collecteur maxi: 41A. Puissance: 250W. Vce(sat): 3.5V. Boîtier: TO-247(AC). Td(on): 16ns / Td(off): 106ns

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor SMBTA42

SMBTA42
0.39€ TTC
2071 En stock
2071 En stock

Transistor CMS bipolaire NPN 300V 0.5A. Boîtier: SOT-23. Tension collecteur-émetteur maxi: 300V. Courant de collecteur maxi: 0.5A. Puissance: 0.36W. Fréquence maxi: 50MHz. Version CMS du transistor MPSA42. Marquage CMS: s1D.

 
Quantité minimum: 10
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Tarifs dégressifs

Transistor SP8K32

SP8K32
5.38€ TTC
54 En stock
54 En stock

Double transistor CMS MOSFET canal N + zéner 60V 4.5A. Puissance: 2W. Référence d'origine constructeur: SP8K32TB1. Boîtier: SO-8. Résistance Rds: 0.017R/0.025R.

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor SP8M2

SP8M2
3.81€ TTC
49 En stock
49 En stock

Transistor SP8M2 N&P-MOS+Z DUAL 30V 3.5A & 3.5A 2W. SP8M2FU6TB. RDS(on): 0.059R & 0.065R. Constructeur: ROHM. Boîtier: *CMS SO-8*

 
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Tarifs dégressifs

Transistor SP8M3

SP8M3
5.94€ TTC
462 En stock
462 En stock

Transistor SP8M3 N&P-MOS+Z DUAL 30V 5A & 4.5A 2W. SP8M3FU6TB. RDS(on): 0.052R & 0.057R. Constructeur: ROHM. Boîtier: *CMS SO-8*

 
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Tarifs dégressifs

Transistor SP8M4

SP8M4
6.72€ TTC
41 En stock
41 En stock

Transistor SP8M4 N&P-MOS+Z DUAL 30V 9A & 7A 2W. SP8M4FU6TB. RDS(on): 0.012R & 0.020R. Constructeur: ROHM. Boîtier: *CMS SO-8*

 
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Tarifs dégressifs

Transistor SPA04N60C3

SPA04N60C3
6.33€ TTC
88 En stock
88 En stock

Transistor SPA04N60C3 N-MOS 650V 4.5A/13.5Ap. 31W 0.85R(2.8A)TO220F. Cool MOS Power Transistor. ID puls: 13.5A. td(on) 6nS. td(off) 58.5nS. Constructeur: INF. Boîtier: TO-220FP-3-1: Fully isolated package (2500 VAC; 1m. Tension de Drain maxi: 650 V.

 
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Tarifs dégressifs

Transistor SPA07N60C3

SPA07N60C3
6.72€ TTC
158 En stock
158 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 650V 7.3A. Boîtier: TO-220FP isolé. Vds(max): 650V. Id(@25ºC): 7.3A. Puissance: 32W. Résistance Rds: 0.54 Ohms. Cool MOS Power Transistor.

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N SPA08N80C3

SPA08N80C3
10.08€ TTC
43 En stock
43 En stock

Transistor MOSFET canal-N 800V 8A/24Ap 40W. Résistance passante RDSon : 0.56 Ohms (5.1A)

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor SPA11N65C3

SPA11N65C3
13.78€ TTC
2 En stock
2 En stock

Transistor SPA11N65C3 N-MOS 650V 11A/33Ap. 33W 0.34R(7A)TO220F. Cool MOS Power Transistor. ID puls: 33A. td(on) 10nS. td(off) 44nS. Constructeur: INF. Boîtier: TO-220FP-3-1: Fully isolated package (2500 VAC; 1m. Tension de Drain maxi: 650 V.

 
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Tarifs dégressifs

Transistor SPA11N80C3

SPA11N80C3
11.26€ TTC
319 En stock
319 En stock

Transistor SPA11N80C3 N-MOS 800V 11A/33Ap. 41W 0.39R(7.1A)TO220F. Cool MOS Power Transistor. ID puls: 33A. td(on) 25nS. td(off) 72nS. Constructeur: INF. Boîtier: TO-220FP-3-1: Fully isolated package (2500 VAC; 1m. Tension de Drain maxi: 800 V.

 
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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N SPA16N50C3

SPA16N50C3
9.97€ TTC
53 En stock
53 En stock

Transistor MOSFET canal-N 560V 16A/48Ap 34W. Résistance passante RDSon : 0.25 Ohms (10A)

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor SPB32N03L

SPB32N03L
3.25€ TTC
225 En stock
225 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de drain maxi: 32A. Puissance: 100W. Rds <0.028 Ohm. SIPMOS Power Transistor. Logic Level Power MOSFET. Boîtier: TO-263 (D2Pak).

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor SPB56N03L

SPB56N03L
3.53€ TTC
285 En stock
285 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de drain maxi: 56A. Puissance: 120W. SIPMOS Power Transistor. Logic Level Power MOSFET. Boîtier: TO-263 (D2Pak).

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor SPB80N04S2-H4

SPB80N04S2-H4
5.26€ TTC
58 En stock
58 En stock

Transistor MOSFET canal N CMS 40V 80A/320Ap 300W 0.0034R. Constructeur: Infineon Technologies. Code constructeur: Q67060-S6013. Marquage boîtier: 2N04H4. Montage en surface (CMS). Type de boîtier: D2PAK (TO-263). Boîtier: TO263. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 40V. Id(T:25): 80A. Puissance: 300 W. Id(imp): 320 Ap. I

 
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Tarifs dégressifs

Transistor SPD08N50C3

SPD08N50C3
6.94€ TTC
95 En stock
95 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 560V. Courant de drain maxi: 7.6A. Puissance: 83W. Rds<0.5 Ohm. Cool MOS Power-Transistor. Boîtier: TO-252 (D-Pak).

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor SPD08P06P

SPD08P06P
4.03€ TTC
92 En stock
92 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 60V. Courant de drain maxi: 8.8A. Puissance: 42W. Résistance passante (Rds)<0.23 Ohms. Boîtier: TO-252 (D-Pak).

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor SPD09N05

SPD09N05
3.70€ TTC
455 En stock
455 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 55V. Courant de drain maxi: 9.2A. Puissance: 24W. Rds<0.093 Ohm. SIPMOS Power-Transistor. Boîtier: TO-252 (D-Pak).

 
 
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© Avtronic. Tous droits réservés. Avtronic - LE SERBON A EV. Numéro d'enregistrement: HU49342471. Dirigeant: Arnaud LE SERBON